管式电炉合成氮化镓晶粒的研究
出处:sillboy 发布于:2007-04-29 10:30:33
黄萍,薛成山,李秀琴,魏琴琴 | ||||
(山东师范大学物理系,半导体所,山东 济南 250014) | ||||
摘要:以Ga2O3为Ga源,氨气(NH3)为N源,通过氮化反应合成了高质量的GaN晶粒。XRD,FTIR和TEM对生成产物的组分、结构进行了研究。结果表明,用管式电炉合成的GaN为多晶体,属六方晶系。 关键词:氮化镓;Ga2O3;氨气 中图分类号:TN304.23 文献标识码:A 文章编号:1671-4776(2003)10-0027-03 氮化镓是一种的宽带隙化合物半导体材料,室温下禁带宽度为3.4eV。作为良好的光电半导体材料,GaN在短波长光电器件领域(如蓝绿光发光管LED、激光器ID)及紫外波段的探测器研究方面备受重视[1-3]。另外,GaN还具有优良的热稳定性、化学稳定性和高热导率、高击穿电压、高电子饱和速度等特点。因此,GaN材料在制备高温、高频、大功率器件以及光存储、光探测等方面有着广泛的应用前景。 2 实 验 3 结果与讨论 3.1 XRD分析 3.2 FTIR分析 3.3 TEM分析 4 结 论 | ||||
本文摘自《微纳电子技术》 |
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