Infineon - 650V IGBT采用表面贴装D2PAK封装实现功率密度
出处:维库电子市场网 发布于:2018-06-14 15:36:31
英飞凌的超薄TRENCHSTOP 5技术可以缩小芯片尺寸、提高功率密度。得益于此,英飞凌率先将40 A 650V IGBT和40 A二极管组合到D2PAK封装中。较之竞争对手的D2PAK封装产品,这个新的产品家族的额定参数高于市场上的所有其他产品,其他组合封装解决方案的功率仅为其75%。
新器件的高功率密度允许设计人员升级现有设计,开发输出功率提高多25%的新平台,或者减少并联功率器件数量,从而实现更紧凑的设计。的组合封装40 A D2PAK可以替代D3PAK或TO-247,用于表面贴装。这可支持轻松焊接,实现快速且可靠的贴装生产线。
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