功率MOSFET是常见的功率半导体，主要原因是因为其栅极驱动需要的功率小、以及快速的切换速度，使其成为电机驱动时常用的功率半导体。本文将为您简介功率MOSFET的技术特性，以及由安森美（onsemi）推出的NTBLS1D5N10MC功率MOSFET的产品特性。

    MOSFET与IGBT各有优势

    功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的，主要用于改变电子装置中的电压和频率，以及进行直流交流转换等功能，只要在拥有电流电压及相位转换的电路系统中，都会用到功率零部件。基本上，功率半导体大致可分为功率分立器件与功率集成电路二大类，其中，功率分立器件产品包括MOSFET、二极管，及IGBT，当中又以MOSFET与IGBT为重要。

    在低电流区域中，MOSFET的导通电压低于IGBT，但在高电流区域中，IGBT的导通电压则低于MOSFET，特别是在高温条件下，此现象特别明显。IGBT通常以低于20kHz的开关频率使用，因为其开关损耗大于单极MOSFET。MOSFET的优势在于可以适用高频领域，MOSFET工作频率可以适用在从几百KHz到几十MHz的射频产品，而IGBT到达100KHz几乎是工作极限。

    MOSFET具有输入阻抗高、驱动功率低、开关速度快、无二次击穿、安全工作区宽、热稳定性好等优点，一般来说，MOSFET适用在携带型的充电电池领域，或是移动装置中。至于IGBT则适用在高电压、大功率的设备，如电机、汽车动力电池等。、

    N沟道功率MOSFET具有较低的导通电阻和较小尺寸

    随着MOSFET及CMOS技术持续的演进，自1960年起集成电路开始快速发展，这也是功率MOSFET的设计得以实现的原因。功率MOSFET的优点是其切换速度快，在低电压下的高效率，具备容易实施的并联技术、高带宽、坚固性、偏压简单、容易使用、也易于维修。功率MOSFET可以应用在许多不同的领域中，包括大部份的电源供应器、直流-直流转换器、低电压电机控制器等，以及许多其他的应用。

    功率MOSFET按导电沟道可分为P沟道和N沟道，由于N沟道MOSFET具有较低的导通电阻（RDS(on)）和较小尺寸，N沟道MOSFET在产品应用的选择性上超过了P沟道。同步整流器应用则几乎都是使用N沟道技术，这主要是因为N沟道的RDS(on)小于P沟道，并且可通过在栅极上施加正电压导通。

    功率MOSFET多数是载流子器件，N沟道MOSFET在导电过程中有电子流动，P沟道在导电期间使用被称为空穴的正电荷。电子的流动性是空穴的三倍。尽管没有直接的相关性，就RDS(on)而言，为得到相等的值，P沟道的管芯尺寸大约是N沟道的三倍，因此N沟道的管芯尺寸更小。

    用于电机驱动的MOSFET驱动器

    在电机驱动系统中，栅极驱动器或“预驱动器”IC常与N沟道功率MOSFET一起使用，以提供驱动电机所需的大电流。在选择驱动器IC、MOSFET以及某些情况下用到的相关无源组件时，有很多需要考虑的设计因素。

    想要为直流电机（无论是有刷电机，还是三相无刷电机）设计驱动器，便应从电机的特性来决定驱动器的设计细节，其中两个主要因素就是电机的工作电压和电流要求。在一般情况下，电机具有给定的额定电压和额定电流，但在实际工作中，这些数值可能与额定值不同。电机的实际速度取决于所施加的电压，电机所需的电流取决于所施加的扭矩。因此，驱动器设计不一定需要完全满足电机的规格。

    为确保所选功率MOSFET的额定值至少等于电机所需的电源电压和电流，甚至留有一定裕量，以确保能够发挥的效能。通常MOSFET的漏源电压额定值（VDS）应至少比电源电压高20%。在某些情况下，尤其是在电流大、扭矩步长较大、电源控制不良的系统中，MOSFET的额定电流必须足够高，才能提供电机所需的峰值电流。

    此外，散热也是选择MOSFET的重点，MOSFET耗散功率会在漏源电阻RDS(ON)中产生热量，包括环境温度和MOSFET散热在内的热条件，决定了可以耗散的功率，而允许功耗终决定则基于MOSFET的RDS(ON)值。此外，还需要考虑总栅极电荷（QG），栅极电荷用于度量导通和关断MOSFET所需的电荷量，较低QG的MOSFET更易于驱动，与具有较高QG的MOSFET相比，它可以以较低的栅极驱动电流进行更快的切换。

    优异的功率MOSFET特性满足应用需求

    安森美在功率MOSFET领域在业界居于地位，并针对不同的应用需求，推出各种规格的功率MOSFET，包括用于电源转换和开关电路的N沟道、P沟道和互补MOSFET。

    本文介绍的NTBLS1D5N10MC，是一款单极、N沟道的功率MOSFET，支持TOLL封装，可输出100 V、1.53 mΩ、298 A的功率，具备低RDS(ON)、低总栅极电荷（QG）和电容，具有较低的开关噪声／电磁干扰（EMI），并是无铅、无卤素／无溴化阻燃剂（BFR）的器件，并且符合RoHS标准，可化传导损耗，限度地减少驱动器损失，可应用于电动工具、电池供电的真空吸尘器、无人机、物料搬运、电池管理系统（BMS）／存储、家庭自动化等领域，常见的终产品包括电机控制、工业电源与太阳能逆变器等。

    结语

    电机驱动应用相当广泛，其中功率MOSFET更扮演着重要的角色，安森美拥有种类多样的功率MOSFET产品线，其中的NTBLS1D5N10MC单极、N沟道的功率MOSFET将能够满足相关应用的严苛需求，是电机驱动控制的选择之一。