IDC - 谏早电子开发的高压Nch MOSFET

出处:维库电子市场网 发布于:2022-11-23 15:21:15

    半导体制造商谏早电子有限公司宣布,开发高压 Nch MOSFET「INK013EAP1」。

     产品是响应开发请求而开发的产品,以支持其他公司同类产品的EOL。

   本产品是额定VDSS=500V、ID=0.5A、SOT89封装的Nch MOSFET,为谏早电子的MOSFET产品中具有的VDSS额定值。

   本产品适用于高速开关高压开关应用,其应用之一是为开关电源控制IC提供驱动电源的启动电路,如下图所示。如果启动电路仅由电阻和电容组成,则必须降低电阻值以缩短启动时间, 但 降低电阻会增加启动电路中的功率损耗。通过使用 MOSFET 构成启动器电路,可以在不损失启动时间的情况下抑制启动器电路的功率损耗。在这种情况下,输入电压直接施加在 MOSFET 的漏极和源极之间,因此需要高耐压 MOSFET。特别是AC 240V开关电源的情况下,包括纹波在内的电压超过400V,因此VDSS=500V的产品适合这种情况。

    此外,通过工艺优化,该产品的抗浪涌性能是其他公司同类产品的3倍左右。

   □用途
  高速切换
  高压开关
   特约经销商一览
   GRANSTAR INTERNATIONAL CO., LTD.
  Koryo Electronics Co., Ltd.
    Sansonic Electronic S&T (ShangHai) Co., Ltd
SUN-FLY TECHNOLOGY (HK) LIMITED
关键词: MOSFET

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