结型场效应晶体管教程
出处:维库电子市场网 发布于:2023-02-02 16:22:46
场效应晶体管 (FET) 由称为衬底的 N 型材料棒制成,其中扩散了 P 型结(栅极)。对于漏极上的正电压,相对于源极,电子电流通过 CHANNEL 从源极流向漏极。
如果栅极相对于源极为负,则会产生静电场,挤压沟道并降低电流。如果栅极电压足够高,通道将被“夹断”,电流将为零。与电流控制的晶体管不同,FET 是电压控制的。
该器件有时称为结型 FET 或 JUGFET 或 JFET。如果 FET 意外正向偏置,栅极电流将流过,FET 将被损坏。
为避免这种情况,在栅极和沟道之间放置了一层极薄的氧化硅绝缘层。该器件被称为绝缘栅 FET,或 IGFET 或金属氧化物半导体 FET (MOSTFET)
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