介绍
    该电路显示了“镜像”电流感测 MOSFET 的方法。完全导电的 MOSFET 是电阻性的，其行为与电阻器完全相同。因此，当 MOSFET 导通时，您可以限制 MOSFET 两端的电压，从而自动限制流过它的电流。此外，MOSFET 的导通电阻具有正温度系数，因此在它升温时，限制其两端的电压将自动减少流过它的有限电流，使其在很宽的结温范围内保持在安全区域内。

    M1 是被感测的主功率 MOSFET，M2 是执行感测的小信号 MOSFET。Tr1 和 Tr2 是栅极驱动晶体管。当栅极驱动为低电平时，M1 和 M2 都关闭，然后 M2 的 47R 源极电阻上没有电压。当栅极为高电平时，两个 MOSFET 都导通，因此在 M1 上产生的任何电压（由于电流流过它）都将转移到 M2 的源电阻器，因为 M2 本身几乎没有电流。
    在两个 MOSFET 导通期间存在一个问题：导通时间通常是有意控制的，在此期间 MOSFET 两端可能存在高电压以及通过它的大电流。此开启信号不得传输到感应电路，因为它是一个瞬态，而不是我们需要感应的信号。
    在本例中，导通时间由 150pF 电容器从基极驱动上拉阻抗充电控制，显示为 R up。该充电电流流入 Tr4 的基极，在开关时间内保持其导通。事实上，由于其基本存储电荷，Tr4 直到切换后才会关闭。
    当 MOSFET 稳定到稳定状态时，Tr4 关闭，检测到的电压被馈送到 Tr3。如果检测到的电压大于Tr3的V则导通，表示过流。Vbe 乘法可以通过拟合 R opt来完成。当然，没有理由将晶体管用作传感器 - 它可以很容易地用作比较器或运算放大器，从而提供更好的传感电平可调性。
    虽然这会给你一个显示过流的信号，但真正的诀窍是知道下一步该怎么做。
    4QD 在我们的一个电路（4QD 系列）中使用了这种 MOSFET 镜像方法，但我们开发了另一种方法，它不使用相对昂贵的 MOSFET，而是使用比较器来克服 Vbe感测电平限制。