有时您需要一个电源电压高达 1000V 或更高的电流源。当电流源的高阻抗节点为电解电容器供电以有效缩短纹波电压时，该电流源可用于降低纹波电压。图 1中的电路通过温度稳定和的输出电流来完成这项工作。该电路采用N沟道MOSFET Q 1，其漏源电压为1000V。齐纳二极管D 2是ZR431LF01并联稳压器，用于稳定和调节输出电流。Q 1 的阈值电压 必须高于 D 2的 1.25V 参考电压。

    R 1 和它两端的电压决定了输出电流。在这种情况下，1.25V/220Ω=5.6 mA。D 2 调节 MOSFET 的栅源电压，直到 R 1两端的电压 等于 D 2的参考电压，该电压具有温度稳定性和性，从而使电流源也稳定和。齐纳二极管 D 1 保护 Q 1的栅极并限制如果无负载连接到电流源，则为栅源电压。

   即使没有具有高漏源电压的 P 沟道 MOSFET，您也可以使用类似的电路从负高压电源获得恒定电流。要使电路与 N 沟道 MOSFET 的负电源一起工作，您必须修改图 1中的电路。您可以通过更改图 2 中MOSFET Q 1的源极和漏极连接来使用 N 沟道 MOSFET 。齐纳二极管 D 2的电流调节功能 与正电压相同。