阈值电压（Threshold Voltage）是指在电子器件（如场效应晶体管或其他半导体器件）中，开启或关闭该器件所需的电压。当施加的电压超过这个阈值时，器件会开始导通，从而允许电流流过。
　　阈值电压的影响因素：
　　材料特性：不同半导体材料（如硅、砷化镓等）具有不同的能带结构和电子迁移率，影响阈值电压的大小。
　　掺杂浓度：半导体中掺杂物的浓度会影响载流子浓度，进而影响阈值电压。高掺杂浓度通常会降低阈值电压。
　　栅极氧化层厚度：在场效应晶体管中，栅极氧化层的厚度直接影响电场强度，进而影响阈值电压。较厚的氧化层通常会导致更高的阈值电压。
　　温度：温度变化会影响半导体的载流子浓度和迁移率，因此阈值电压在不同温度下也会有所不同。
　　偏置条件：施加在器件上的直流偏置电压或交流信号也会对阈值电压产生影响。
　　表面状态：在半导体材料表面或界面处的缺陷和污染物可以影响载流子的行为，从而改变阈值电压。