电容器漏电流（Leakage Current）是指电容器在施加直流电压时，由于介质不理想或制造缺陷导致的微小电流泄漏。漏电流会影响电容器的性能，尤其是在高精度电路（如滤波、储能、定时电路）中可能导致电压下降、能量损耗甚至电路失效。

一、电容器漏电流的产生原因

漏电流主要由以下因素引起：

1. 介质材料不理想

• 介电吸收（Dielectric Absorption）：
  介质极化不完全，电荷不能完全释放，导致残余电流。

  • 常见于：电解电容（铝/钽）、陶瓷电容（Class 2/Class 3）。

• 介质缺陷（Impurities, Voids）：
  制造过程中介质层存在杂质、气孔或裂纹，导致局部导电。

2. 电极与介质界面效应

• 氧化层缺陷（电解电容）：
  铝/钽电解电容的氧化层（Al?O?/Ta?O?）不均匀，导致漏电流增大。

• 电极边缘效应：
  多层陶瓷电容（MLCC）电极边缘电场集中，可能引起局部漏电。

3. 温度影响

• 温度升高：
  介质电阻率下降，漏电流增大（尤其电解电容）。

  • 例：铝电解电容在高温（>85°C）下漏电流可能增加10倍。

4. 电压应力

• 过压或反向电压：
  超过额定电压（如钽电容易“雪崩击穿”）或施加反向电压，导致介质损伤。

5. 老化与退化

• 电解液干涸（电解电容）：
  长期使用后电解液挥发，氧化层劣化，漏电流上升。

• 陶瓷电容老化（Class 2 X7R/Y5V）：
  铁电材料随温度/时间变化，介电性能下降。

二、降低电容器漏电流的方法

1. 选择合适的电容器类型

2. 优化电路设计

• 降低工作电压：
  选择额定电压高于实际工作电压的电容（如用25V电容代替16V）。

• 并联低漏电电容：
  在高漏电电容（如电解电容）旁并联薄膜或C0G陶瓷电容。

• 避免反向电压：
  钽电容必须严格防反接，可串联二极管保护。

3. 制造与工艺改进

• 选择高质量介质：
  如钽电容用MnO?阴极替代聚合物型（漏电更低）。

• 优化电极结构：
  MLCC采用边缘钝化技术减少电场集中。

4. 温度管理

• 控制工作温度：
  避免高温环境，铝电解电容在85°C以上漏电流剧增。

• 选用高温型号：
  如105°C电解电容比85°C型号更稳定。

5. 老化预处理（电解电容）

• 电压老化（Reforming）：
  长期未使用的电解电容，逐步施加电压恢复氧化层。

三、典型应用中的漏电流控制

1. 精密计时电路（如RTC）

• 问题：漏电流导致时间误差。

• 方案：使用C0G陶瓷电容或聚丙烯薄膜电容。

2. 储能电容（如超级电容）

• 问题：自放电快（漏电流大）。

• 方案：选择低漏电型号，并加MOSFET隔离。

3. 信号耦合（如音频电路）

• 问题：漏电流引起直流偏置。

• 方案：采用薄膜电容（如MKP）或隔直电路。

四、漏电流测量方法

1. 直流法：

   • 施加额定电压，串联电流表测量（如用皮安表测nA级漏电）。

2. 充电-放电法：

   • 充电后断开电源，测量电压下降速率推算漏电流。

五、总结