在电源电路设计领域，不同的拓扑结构各具特点和应用场景。下面将详细介绍反激、双管正激、LLC 谐振半桥以及反激 QR 准谐振模式这几种常见的电源线路拓扑。
　　反激拓扑
　　工作原理
　　在 Ton 阶段，储能回路为：VBUS--- 变压器初级绕组 NP--- 开关管 Q1 --SGND；Toff 阶段，放电回路为：变压器次级绕组 PIN12--- 次侧二极管 D1--- 负载 --- 变压器次级绕组 PIN8。

　　

　　特点
　　该线路简单，采用 PWM（脉宽调制）控制，适应于全电压输入。为保证安全工作，一般占空比设置 <0.5（Ton/Toff）。它属于硬开关，对 mos 体内寄生二极管无速度要求。在 Ton 周期时间内变压器完成储能过程，在 Toff 时间周期内释放能量并完成变压器消磁复位，有效防止变压器磁饱和。不过，它对变压器漏感要求较高，漏感大易产生高尖峰电压，故相对对 MOS、SKY 电压应力要求高。
　　功率器件选择
　　以 12VDC 输出电压为例：
　　主开关管 Q1 耐压选择：VDS 反射电压 Vor = (Vo + Vf) * N（N 为变压器匝比，这里 N = 7.2）。变压器漏感产生的尖峰电压与变压器漏感相关，漏感越小尖峰电压越低，假设为 100V。漏感大小与磁芯形状与变压器绕制工艺方法相关联，通常三明治绕法绕出来的漏感较小。反射电压 Vor = (12 + 0.7) * 7.2 = 91.5V。Vds = Vinmax + 尖峰电压 + 反射电压 = 353 + 100 + 91.5 = 544.5V，取 10% 的余量，故选择 600V 的 MOS。
　　二次侧整流二极管 D1 的反向耐压选择：VKA = (V0 + Vf) + (Vinmax / N) = 12.7 + 353 / 7.2 = 61.73V，为留有余量，故选用 100V 反向耐压整流管。
　　器件电流选择：有一定的计算经验值可作为参考，但实际通过器件电流大小直接牵涉到器件本身的发热量，加没有加散热器、封闭式还是敞开式都与散热有非常大的关系，根据实际应用情况故一般以实验终结果来选择器件电流的大小。
　　双管正激拓扑
　　工作原理
　　Ton 阶段，Q1、Q2 同时开通：VBUS--- 开关管 Q1--- 变压器初级绕组 NP--- 开关管 Q2---Rsense---SGND。由于同名端的原因二次侧整流二极管 D3 导通，按照设计匝比输出所需电压，与此同时对续流电感 LF3 储能充电。
　　Toff 阶段，Q1、Q2 同时关断。根据楞次定律的原理（感生电动势的变化总是阻碍原电动势的变化），变压器初侧同名端发生变化，此时呈现的效果是变压器初侧电压钳位。在每个开关管和侧绕组之间，各并联一个续流二极管 D1、D2。当 Q1、Q2 关断时，变压器初侧储能有一个泄放通路，经过 D1、D2 回馈到高压电解电容 C1，对电解电容进行放电，D1、D2 起到变压器初级复位消磁的作用，并将 Q1、Q2 所承受的电压钳位在输入电压 VBUS。消磁复位路径为：变压器初级 PIN4--- 二极管 D2--- 高压电解电容 C1---SGND--- 二极管 D1--- 变压器初级 PIN1。同理，二次侧续流电感 LF1 同名端极性发生改变，续流电感 LF1 通过续流二极管 D4 向负载释放能量。经过 Ton、Toff 一开一关完成了一个完整周期，周而复始。

　　

　　特点
　　线路较复杂，控制方式适应于单电压输入，加 PFC 功率因数校正可实现全电压输入。两开关管 Q1、Q2 同时开通同时关断，为保证安全工作一般占空比设置 <0.5（Ton/Toff），驱动功率大，属于硬开关对 MOS 体内寄生二极管速度无特殊要求，转换效率不高，一般在 85% - 88% 之间，相对于 LLC 谐振线路好调试，一般用于便宜的低阶市场。其显著特点是每一个桥臂都是由一个二极管和一个开关管串联组成，因此从线路结构上来说不存在桥臂直通的问题，可靠性高。
　　功率器件选择
　　主开关管 Q1、Q2 耐压选择：VDS 由于被二极管 D1、D2 钳位，MOS Q1、Q2 所承受电压就是 VBUS 电压，VDSmax = VBUS = 264 * 1.414 - 20 = 353V，选择 500V MOS 即可。
　　二次侧整流二极管 D3、D4 的反向耐压选择：VKA = (V0 + Vf) + (Vinmax / N) = 12.7 + 353 / 7.2 = 61.73V，为留有余量，故选用 100V 反向耐压整流管。
　　LLC 谐振半桥拓扑
　　工作原理
　　实际上有六种工作状态，这里只描述重要的两种状态。上下两管轮流交替导通。
　　当 Q1 导通，Q2 截止状态：充电回路为 VBUS--Q1-- 谐振电感 Lr--- 主变压器 NP--- 谐振电容 Cr—SGND，此时主绕组 NP 储存能量，与此同时二次侧同名端 D1 导通，异名端 D2 截止，根据匝比经电解电容 C2 滤波输出所需电压。
　　当 Q1 截止，Q2 导通状态：放电回路为主变压器 NP (PIN2)-- 谐振电容 Cr---Q2（起续流作用）-- 谐振电感 Lr-- 主变压器 NP (PIN1)，与此同时侧二次侧由楞次定律，同名端极性改变，D1 截止，D2 导通，根据设计匝比，经过电解电容 C2 滤波输出所需电压。
　　特点
　　线路较复杂，采用 PFM 控制方式，适应于单电压输入，加 PFC 功率因数校正电路可实现全电压输入（一般固定架构就是 Active PFC + LLC 半桥）。为保证安全工作，一般占空比设置为 =0.5（Ton/Toff），驱动信号驱动两开关管 Q1、Q2 轮流交替工作呈互补关系，且两驱动信号之间留有死区时间，一般是 350nS，比较新的驱动方案带有自动死区调节功能更安全，驱动功率大。属于软开关，对 MOS 体内寄生二极管 Trr 有速度要求，转换效率高，一般＞90%，一般应用于对转换效率高有卖点的场合。
　　功率器件选择
　　以 12VDC 输出电压为例：
　　主开关管 Q1、Q2 耐压选择：VDS MOS Q1、Q2 所承受电压就是 VBUS 电压，VDSmax = VBUS = 264 * 1.414 - 20 = 353V，选择 500V MOS 即可。
　　二次侧整流二极管 D1、D2 的反向耐压选择：如下图所示次级绕组 NS1、NS2 都为 12V 电压，当 D1 导通 D2 截止，此时 D2 所承受的理想状态反向电压为 12 * 2 = 24V，考虑到要留有余量以及选择通用型器件，综合考量故选用 40V 的 SKY。
　　反激 QR 准谐振模式
　　工作原理
　　反激谐振模式 QR 与普通反激线路上有差异，多了一路波谷检测电路，主要作用是减小开关振荡次数降低损耗，有利于提高转换效率，降低 EMI 发射量。只有反激式开关电源才有准谐振 QR 这个概念，检测原理是 VDS 电压处于下降阶段并产生多次振荡，当检测到个振荡波个谷点，开关 MOS 开通，余下振荡波形都可以避免出现，这样做既减小了多次振荡损耗，也降低了 EMI 发射量。谷点检测有两种方式：一种是在变压器主绕组 NP 上做检测，另一种是在 VCC 绕组上做检测。

　　

　　特点
　　线路简单，是普通反激线路改进型线路，PWM 控制方式适应于宽范围电压输入，为保证安全工作一般占空比设置为 <0.5（Ton/Toff）。之所以叫准谐振，是因为它比较接近于谐振电路模式，但不是真正意义上的谐振。成本低、转换效率接近 90%，一般应用于对转换效率高有卖点的场合。
　　各线路相同点与主要区别
　　相同点：反激、双管正激、LLC 谐振半桥前端都可以加功率因数线路 PFC；二次侧都可以加同步整流方案，以实现驱动 SR - MOS，提高转换效率。
　　区别：反激、双管正激属于硬开关，对高压开关 MOS 体内寄生二极体 Trr 没有严格的要求；LLC 谐振半桥属于软开关，对高压开关 MOS 体内寄生二极体 Trr 有要求，在 100 - 200nS。除开反激要用到 600V 及以上的 HV MOS，余下双管正激、LLC 谐振半桥 500V HV MOS 都够用。反激式开关电源有其自身的特点，主要是由于反激式电源 / 反激 QR 的反射电压和漏感尖峰电压造成了比较高的 VDS，且变压器漏感真实存在，只能减小不能消除。