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垂直氮化镓鳍式JFET功率器件的短路鲁棒性

氮化镓的优越材料特性推动了其在功率器件应用中的使用。横向高电子迁移率晶体管 （HEMT） 器件已在广泛的电压等级（主要是 650 V 及以下）上实现商业化。与具有类似额定电压的硅和碳化硅器件相比，GaN HEMT的高开关...

分类：元器件应用 时间：2023-03-15 阅读：486 关键词：JFET功率器件