IRFR214 Datasheet

IC型号：
IRFR214
PDF描述：
2.2A, 250V, 2.000 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
文件大小：
52.94KB
芯片厂家：

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IRFR214, IRFU214

Data Sheet

July 1999

File Number

3274.2

2.2A, 250V, 2.000 Ohm, N-Channel Power

MOSFETs

These are N-Channel enhancement mode silicon gate

power 铿乪ld effect transistors designed, tested, and

guaranteed to withstand a speci铿乪d level of energy in the

breakdown avalanche mode of operation. They are

advanced power MOSFETs are designed for use in

applications such as switching regulators, switching

converters, motor drivers, relay drivers and drivers for high-

power bipolar switching transistors requiring high speed and

low gate-drive power. These transistors can be operated

directly from integrated circuits.

Formerly developmental type TA17443.

Features

鈥?2.2A, 250V

鈥?r

DS(ON)

= 2.000鈩?/div>

鈥?Single Pulse Avalanche Energy Rated

鈥?SOA is Power Dissipation Limited

鈥?Nanosecond Switching Speeds

鈥?High Input Impedance

鈥?150

C Operating Temperature

鈥?Related Literature

- TB334 鈥淕uidelines for Soldering Surface Mount

Components to PC Boards鈥?/div>

Ordering Information

PART NUMBER

IRFR214

IRFU214

PACKAGE

TO-252AA

TO-251AA

BRAND

IRFR214

IRFU214

Symbol

NOTE:

When ordering, use the entire part number.

Packaging

JEDEC TO-251AA

SOURCE

DRAIN

GATE

SOURCE

DRAIN (FLANGE)

JEDEC TO-252AA

DRAIN (FLANGE)

4-383

CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper ESD Handling Procedures.

http://www.intersil.com or 407-727-9207

漏

Intersil Corporation 1999

IRFR214 PDF文件相关型号

IRFU214

IRFR214 产品属性

数据列表
IRFR214, IRFU214
标准包装
3,000
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
250V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
2.2A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
2 欧姆 @ 1.3A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
8.2nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
140pF @ 25V
功率 - 最大
2.5W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
D-Pak
包装
管件
其它名称
*IRFR214

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型号

版本

描述

厂商

下载
IRFR

英文版

Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.21ohm, Id=9.4A)

IRF [Internatio...

IRFR
IRFR010

英文版

N-CHANNEL POWER MOSFET

IRFR010
IRFR010

英文版

AVALANCHE AND dv/dt RATED

IRF

IRFR010
IRFR010

英文版

N-CHANNEL POWER MOSFET

SAMSUNG [S...

IRFR010
IRFR012

英文版

AVALANCHE AND dv/dt RATED

IRF

IRFR012
IRFR012

英文版

AVALANCHE AND dv/dt RATED

IRF [Inter...

IRFR012
IRFR014

英文版

Power MOSFET(Vdss = 60 V, Rds(on) = 0.20 Ohm, Id= 7.7A)

IRF

IRFR014
IRFR014

英文版

N-CHANNEL POWER MOSFET

IRFR014
IRFR014

英文版

HEXFET? Power MOSFET

IRFR014
IRFR015

英文版

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 6.7A I(D) |...

ETC

IRFR015
IRFR020

英文版

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 15A I(D) | ...

ETC

IRFR020
IRFR020

英文版

HEXFETR Power MOSFET

IRF

IRFR020
IRFR020

英文版

HEXFETR Power MOSFET

IRF [Inter...

IRFR020
IRFR022

英文版

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 14A I(D) | ...

ETC

IRFR022
IRFR024

英文版

HEXFET POWER MOSFET

IRF

IRFR024
IRFR024

英文版

HEXFET? Power MOSFET

IRFR024
IRFR025

英文版

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 14A I(D) | ...

ETC

IRFR025
IRFR034

英文版

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 23A I(D) | ...

ETC

IRFR034
IRFR110

英文版

HEXFET? Power MOSFET

IRFR110
IRFR110

英文版

HEXFET? Power MOSFETs

IRFR110

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