IXTM12N90 Datasheet

  • IXTM12N90

  • MegaMOS FET

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  • IXYS   IXYS

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MegaMOS
TM
FET
IXTH 12N90
IXTM 12N90
V
DSS
= 900 V
= 12 A
I
D25
R
DS(on)
= 0.90
鈩?/div>
N-Channel Enhancement Mode
Symbol
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
P
D
T
J
T
JM
T
stg
M
d
Weight
Test Conditions
T
J
= 25掳C to 150掳C
T
J
= 25掳C to 150掳C; R
GS
= 1 M鈩?/div>
Continuous
Transient
T
C
= 25掳C
T
C
= 25掳C, pulse width limited by T
JM
T
C
= 25掳C
Maximum Ratings
900
900
卤20
卤30
12
48
300
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
W
掳C
掳C
掳C
TO-247 AD (IXTH)
D (TAB)
TO-204 AA (IXTM)
G
G = Gate,
S = Source,
D = Drain,
TAB = Drain
Mounting torque
1.13/10 Nm/lb.in.
TO-204 = 18 g, TO-247 = 6 g
300
掳C
Maximum lead temperature for soldering
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Features
International standard packages
Low R
DS (on)
HDMOS
TM
process
Rugged polysilicon gate cell structure
Low package inductance (< 5 nH)
- easy to drive and to protect
Fast switching times
l
Symbol
Test Conditions
I
GSS
I
DSS
R
DS(on)
V
GS
=
卤20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= 0.8 鈥?V
DSS
V
GS
= 0 V
T
J
= 25掳C
T
J
= 125掳C
卤100
250
1
0.90
nA
碌A
mA
鈩?/div>
l
l
Advantages
Easy to mount with 1 screw (TO-247)
(isolated mounting screw hole)
Space savings
High power density
l
V
GS
= 10 V, I
D
= 0.5 I
D25
Pulse test, t
鈮?/div>
300
碌s,
duty cycle d
鈮?/div>
2 %
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
漏 2000 IXYS All rights reserved
l
V
GS(th)
2
4.5
V
l
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
碌A
l
V
DSS
V
GS
= 0 V, I
D
= 3 mA
900
V
l
Characteristic Values
(T
J
= 25掳C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
Applications
Switch-mode and resonant-mode
power supplies
Motor controls
Uninterruptible Power Supplies (UPS)
DC choppers
l
l
l
l
91593E(5/96)
1-4

IXTM12N90 产品属性

  • IXYS

  • N-Channel

  • 900 V

  • +/- 20 V

  • 12 A

  • 0.9 Ohms

  • Single

  • + 150 C

  • Through Hole

  • TO-204AA

  • Tube

  • 32 ns

  • - 55 C

  • 300 W

  • 33 ns

  • 25

  • 63 ns

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    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 2A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 2A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 3A I(D) | ...
    ETC
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    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 3A I(D) | ...
    ETC
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    TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 3A I(D) | ...
    ETC
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    TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 3A I(D) | ...
    ETC
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    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
    ETC
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    4 AMPS 450-500 V, 1.5-ohm / 2.0-ohm
    IXYS [IXYS...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
    ETC
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    4 AMPS 450-500 V, 1.5-ohm / 2.0-ohm
    IXYS [IXYS...
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    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
    ETC
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