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IC Datasheet频道、中国IC资料网

PZT751T1G数据手册封面

PZT751T1G Datasheet

IC型号：
PZT751T1G
PDF描述：
PNP Silicon Planar Epitaxial Transistor
文件大小：
127.15KB
PDF页数：
6 Pages页
芯片厂家：
ONSEMI [ON Semiconductor]

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上传产品规格书

PZT751T1G 产品属性

标准包装
1,000
类别
分离式半导体产品
家庭
晶体管(BJT) - 单路
系列
-
晶体管类型
PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
2A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
60V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
500mV @ 200mA，2A
电流 - 集电极截止（最大）
-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
75 @ 1A，2V
功率 - 最大
800mW
频率 - 转换
75MHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AA
供应商设备封装
SOT-223
包装
带卷 (TR)
其它名称
PZT751T1GOSPZT751T1GOS-NDPZT751T1GOSTR

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型号

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描述

厂商

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PZT772

英文版

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PZT751T1/D
PZT751T1-D

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PZT751T1-D

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