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请教为了使DSP能够写flash,如何配置EMIF和地址... |
| 作者：yexinfen4g 栏目：DSP技术 |
各位大虾: 小弟用的是C6711,现在想向FLASH里写chip erase的命令,FLASH用的是字模式,由于DSP的地址线是从EA2-E-A20,而FLASH的地址线是A0--A18,A0对应着EA2,FLASH所在的CE1空间的起始地址是0x90000000, 1.按照手册所说,应该向555和2AA里写东西就行了,那么在程序里555和2AA的地址是不是应该是0x90000000+555*4和0x90000000+2AA*4呢? 2.我需要设置EMIF的控制寄存器吗?按照默认的设置直接进行写操作可以吗? 3.文章上说C6711的EMIF会自动根据存储器的宽度进行拆包,比如我现在用的FLASH是16位的,DSP就会把32位的数据分两次输出? 4.DSP写到FLASH的chip erase命令是6个周期的,是不是DSP在发这6个控制数据时,每次要间隔一些时间? 跪求各位大虾的指点!! |
| 2楼： | >>参与讨论 |
| 作者： yexinfen4g 于 2005/1/17 16:00:00 发布：
基于DSP的FLASH接口设计 请大虾指点啊! |
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| 3楼： | >>参与讨论 |
| 作者： shixiudong 于 2005/1/17 23:54:00 发布：
比较麻烦，单纯通过打字来沟通，比较烦。 你还需要说明如下问题： 1、你的地址译码如何做的？ 2、你的FLASH的信号wr, rd, cs, ul/uh（如果有的话）怎么连接的？ 3、你用的什么FLASH芯片？ 4、的数据线怎么连接到FLASH的？ 等等。 DSP向FLASH写数据，没有太大难度，但是比较麻烦。 史修栋 |
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| 4楼： | >>参与讨论 |
| 作者： onlineit 于 2005/1/18 19:35:00 发布：
可提供通过JTAG口对FLASH进行烧写的源程序 特点： TMS320C6711 高性能32-位浮点DSP，工作主频高达150MHz，处理性能可达900MFLOPS。 片上存储器： 4K-Byte L1P Program Cache 4K-Byte L2 Data Cache 64K-Byte L2 MEMORY SDRAM： 设计最大容量为8M×32-位，基本配置为2M×32-位 FLASH： 设计最大容量为512K×16-位，基本配置为256K×16-位 UART： 2路MCBSP 多通道缓冲串口 HPI： 16位HPI接口 EPLD： ALTERA 7000AE可编程逻辑器件 性能： 主处理器：TMS320C6711，工作主频高达150MHz，处理能力可达900MFLOPS SDRAM： 2M×32-位，工作时钟100MHZ FLASH： 256K×16-位，70ns（20年数据保存，100,000次擦写） EPLD： ALTERA 7000AE可编程逻辑器件 电源监控：板载+5V、+3.3V和+1.8V电源监控 总线：32-位数据总线，用户可寻址空间CE2，CE3 拔码开关：4位用户拔码开关，供用户设置 LED指示：电源指示、复位指示、4位用户程序状态指示 串口：2通道同步串口 HPI：16位HPI接口 JTAG: 板载JTAG接口 启动模式：16位FLASH启动 工作温度： -10～+55℃ 机械尺寸： 67.6mm×70mm，大小和名片差不多 应用： 高性能DSP嵌入式应用 高性能的音频处理系统 高性能数据处理 TMS32C6000系统评估和论证 如果哪位朋友要用浮点DSP做项目或课题，使用该板子可以节省不少开支，加快产品上市时间，可提供通过JTAG口对FLASH进行烧写的源程序，并提供相关的技术支持，提供外围电路设计参考。 联系电话：0773-3180127、13977389472 联系人：夏先生 Email:onlineit@163.com
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| 5楼： | >>参与讨论 |
| 作者： onlineit 于 2005/1/18 19:37:00 发布：
背面贴图
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| 6楼： | >>参与讨论 |
| 作者： zhier81 于 2005/1/19 10:48:00 发布：
按照FLASH的时序读写就可以了吧。 |
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| 7楼： | >>参与讨论 |
| 作者： yexinfen4g 于 2005/1/20 10:40:00 发布：
FLASH说明 1.(书上说的)c6000的EMIF口会自动进行移位调整,这保证了在对窄存储器存储操作时提供正确的地址.对16bitROM,地址自动左移一位,移出的高位地址将被舍弃. EA(DSP的外部地址引脚) 22 21 20 ................. 4 3 2 字长 *32 22 21 20 ................. 4 3 2 *16 21 20 19 ................. 3 2 1 *8 20 19 18 ................. 2 1 0 根据我的FLASH,我把EMIF口的CE1CTL和GBLCTL设置成16 bit 模式,CE1空间的起始地址是0x90000000, 2.FLASH的WE,OE,CE,RY线分别与DSP的WE,OE,CE1,通用IO口(MCBSP口可设置成IO口)相连; 3.我用的FLASH是AM29LV800B; 4.Flash的16跟数据线与DSP的低16位数据线相连; 调试中碰到的问题: 1.根据FLASH手册说明,应该往555和2AA里写命令,那根据我前面说的硬件设计,我在DSP程序中对应的地址是0x90000AAA和0x90000554吗?(c6000里对地址还要进行移位调整) 2.我的调试程序就是往FLASH里写chip erase命令,在程序里先设置EMIF口寄存器,然后就是往0x90000AAA和0x90000554里写命令,写完后DSP进入死循环,等待一段时间,从ccs里用view MEMORY看0x90000000里的数据发现不是全1; |
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| 8楼： | >>参与讨论 |
| 作者： shixiudong 于 2005/1/21 0:27:00 发布：
告诉我你的EMAIL 请告诉我你的EMAIL，源代码发给你。 史修栋 |
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| 9楼： | >>参与讨论 |
| 作者： yexinfen4g 于 2005/1/21 1:25:00 发布：
to:史修栋 yexinfeng450@163.com xfye@pcn.xidian.edu.cn 太谢谢你了!!, |
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| 10楼： | >>参与讨论 |
| 作者： sun0_liang 于 2005/3/30 13:04:00 发布：
能共享吗？说说解决方法。 TO:史修栋 || yexinfen4g !! 史修栋不就是版主吗。大家一起学学啦！！ * - 本贴最后修改时间：2005-3-30 13:07:52 修改者：sun0_liang |
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