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TMS320vc5402 数据空间，程序空间相关问题，内行人请进 |
| 作者：dsp_step 栏目：DSP技术 |
请牛人指教： 在5402中 （1）程序空间和数据空间可否重叠？如果可以在什么情况下可以？ （2）当FLASH空间足够大时，多余的空间可以作为外部数据区，是不是说明数据空间可以扩展，那么怎么使数据存到FLASH中呢？ （3）在5402的datasheet中，4000后是映射到external的，请问如果我分配这部分空间给PAGE1,是映射到falsh里的吗？只有几十K。 |
| 2楼： | >>参与讨论 |
| 作者： dellxp 于 2005/5/23 8:49:00 发布：
所谓扩展好像是在程序空间 |
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| 3楼： | >>参与讨论 |
| 作者： dsp_step 于 2005/5/23 15:03:00 发布：
to:dellxp 你认为程序空间与数据空间可否重叠呢?这是我一直没搞懂的一个问题 |
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| 4楼： | >>参与讨论 |
| 作者： 明根兵 于 2005/5/23 17:16:00 发布：
可以的 |
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| 5楼： | >>参与讨论 |
| 作者： yang96381 于 2005/5/24 15:06:00 发布：
呵呵,采用哈佛结构,分开的 |
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| 6楼： | >>参与讨论 |
| 作者： dsp_step 于 2005/5/24 21:02:00 发布：
说得没错 多谢大家指点： 能重叠的话，也就是说cmd中的PAGE0与PAGE1中的数据可以重叠的咯？ 在数据空间中，从4000到efff是映射到external的，那么这个external是指的FLASH吗？不然哪来的物理空间与64k相对应，16k加4k也不过20k。 |
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| 7楼： | >>参与讨论 |
| 作者： dsp_step 于 2005/5/24 21:12:00 发布：
补充一问： 数据空间与程序空间能重叠的话，是不是就是由MP/MC,DROM,OVLY在控制的？ 重叠在一起的程序空间和数据空间，在物理存储器中数据是怎么存放的呢，是不是虽然两个空间重叠在一起，但是存放在不同的物理空间中？我认为这样解释合理点 |
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| 8楼： | >>参与讨论 |
| 作者： dellxp 于 2005/5/27 9:59:00 发布：
好像物理上也不分开，映射的就是实际的物理空间 最好要分开，为什么非要重叠呢？哈哈 CMD我也不是很明白，这次自己要好好的看看了，哈哈 |
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| 9楼： | >>参与讨论 |
| 作者： dsp_step 于 2005/5/27 10:17:00 发布：
谢谢dellxp 我在做vc5402的bootload时，遇到过这样一个问题： 在cmd文件中对-e 选项的理解，有几种说法，有说-e选项“是程序中断向量的入口点”；还有种说法：-e是“装入引导表后程序运行的起始地址”，是不是这两种说法实际上是一样的？ -e是中断向量的入口地址0xff80，还是_c_int00处对应的地址（一般是0x8000），不太理解，请问你有什么看法 |
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| 10楼： | >>参与讨论 |
| 作者： gigs 于 2005/5/27 14:24:00 发布：
我也有同样问题 我认为重叠在一起的程序空间和数据空间，虽然两个空间重叠在一起，但是存放在不同的物理空间中的，只是由于采用哈佛结构，访问由总线对他们进行控制。 斑竹能给点解释吗？ |
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| 11楼： | >>参与讨论 |
| 作者： dsp_step 于 2005/5/30 12:42:00 发布：
有高手能解释一下上面的一些问题么 斑竹大哥能发表一下意见就最好了，谢谢！ |
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| 12楼： | >>参与讨论 |
| 作者： kvan 于 2005/5/31 10:04:00 发布：
FLASH BOOT 怎么那么多人问，很少人回答的！难道高手都隐掉了！假如系统采用并行8位BOOT方式，FLASH的数据空间是0000H-FFFFH，程序空间地址为0000H-FFFFH,01000H-01FFFFH,为什么数据空间地址和程序空间的地址都为0000H-FFFFH！在物理连接上，FLASH只有18条地址线呀！怎么样区分数据和地址空间！ |
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| 13楼： | >>参与讨论 |
| 作者： dsp_step 于 2005/5/31 16:03:00 发布：
kvan你的FLASH是什么型号的？ 我采用的是16位boot模式，我的5402dsk上的FLASH是AM29LV800B的地址线有19根，有8M的存储空间，你的FLASH有18条地址线，那么是不是有4M 的存储空间呢，但是就是不知道怎么区分程序，数据空间的，难道就是根据初始化寄存器来设定的？ |
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| 14楼： | >>参与讨论 |
| 作者： ftn2 于 2005/6/7 0:43:00 发布：
关注此贴！ |
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| 15楼： | >>参与讨论 |
| 作者： gigs 于 2005/6/7 16:25:00 发布：
顶一顶，为什么这个问题一直悬而未决呀，高手都隐了吗～ |
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| 16楼： | >>参与讨论 |
| 作者： wgg 于 2005/6/7 17:13:00 发布：
我觉得上面的问题书上说得很清楚吧 |
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| 17楼： | >>参与讨论 |
| 作者： 指南针 于 2005/6/7 19:14:00 发布：
datasheet行清楚啊 |
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| 18楼： | >>参与讨论 |
| 作者： gyfeng 于 2005/6/8 16:52:00 发布：
我这么做过 程序和数据空间是可以重叠的，不用IS和DS，只用MSTRB就可以了，这样不管访问程序还是就数据空间，都会到这里了，当然，片内优先，所以与内部数据区重叠地址的那部分外部存储器是访问不到的。 上面这种做法就可以把外部多余的FLASH做为数据存储器，关键是你的FLASH支持不支持自编程功能，这时是用在FLASH里面跑的程序来对另一部分编程，如果FLASH一进入编程状态就整片禁止读取，你上那里读程序代码。 片内没有的分当然映射到片外了。 |
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| 19楼： | >>参与讨论 |
| 作者： dsp_step 于 2005/6/9 19:04:00 发布：
谢谢gyfeng，再请教请教 请问MSTRB是什么？以前没有接触过这个名字，见笑了。还有怎样才能知道FLASH是自编程的，我的FLASH型号是AM29LV800B的，不知是不是属于自编程的那种，datasheet中是哪部分说明这一点的？ |
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| 20楼： | >>参与讨论 |
| 作者： yang96381 于 2005/6/10 16:49:00 发布：
呵呵,不是很容易的!! |
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| 21楼： | >>参与讨论 |
| 作者： victorymay 于 2005/6/10 17:55:00 发布：
关注 怎么做 |
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| 22楼： | >>参与讨论 |
| 作者： gyfeng 于 2005/6/13 16:41:00 发布：
再次回复 MSTRB是MEMORY选通线，一般是用IS或DS做外部程序或数据存储器的片选线，用MSTRB做读写有效线（当然还需要R/W方向线），访问外部存储器空间时两个都会有负脉冲出来的，你可以看看5402的时序图。 至于什么芯片能自编程，我只知道肯定有，但我也没用过，一般数据手册的首页肯定做为特点列出来的，肯定要选新一点的，老的不行。 |
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| 23楼： | >>参与讨论 |
| 作者： gyfeng 于 2005/6/15 16:48:00 发布：
回复MSTRB MSTRB是存储器选通，一般接芯片的E端，IS和DS一般连CS端，看看手册就知道了。自编程FLASH肯定有，但我没用过，应该在首页的特点里面会提到。 |
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| 24楼： | >>参与讨论 |
| 作者： hoon 于 2005/6/16 14:09:00 发布：
哎，高手们都不出声了。 我自学dsp也有几个月了，小程序也编过几个了，可能都没有真正入门，但是还是有一点心得的。对于1楼的问题，我的看法是： 1、程序空间和数据空间是独立的。所以二者基本是可以重叠的。不过要注意：片内16K DARAM可同时被映射到程序空间和数据空间，但是一旦分配给程序空间的部分就不能再分配给数据空间了。 2。数据空间是可以扩展的。一般通过CPLD就可以了，通过存储器分页设置进行扩展。 3、4000后是映射到external的，分配这部分空间给PAGE1,是映射到falsh里的，通过分页设置可以突破64K的限制。 这是我的理解，还请高手指正啊。 |
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