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请问bandgap中的精密电阻是如何实现的？ |
| 作者：chenjia 栏目：IC设计 |
我知道的有triming的方法，不知道还要什么其它的方法？ 听说有一种叫做数字调整的方法（好像是用编程的方法来熔断齐纳二级管），请问哪里可以找到更详细的资料啊？ 谢谢！ 3xs！！ |
| 2楼： | >>参与讨论 |
| 作者： eeunion 于 2005/3/25 8:47:00 发布：
bandgap中需要精确的电阻吗？ 我记得是要比例系数吧？ 精确的电阻一般来说很难做到的，经可能避免使用 |
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| 3楼： | >>参与讨论 |
| 作者： chenjia 于 2005/3/29 19:46:00 发布：
如果要做精度在0.5％以内的bandgap呢？ 电阻比例的精度在百分之一左右，那如何做0.5%的bandgap呢？ |
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| 4楼： | >>参与讨论 |
| 作者： hspice2005 于 2005/3/29 23:26:00 发布：
太奇怪的问题 老兄，0.5%的bandgap是什么意思？！ bandgap的精度有（1）温度系数。一般用ppm/oC表示，就目前的工艺水平可以做到2～20ppm/oC。建议你查看相关的资料 （2）对电压的稳定程度，即电源电压变化一点，输出变化多少。 不知道你所说的0.5%的bandgap是什么意思。 实际上，bandgap的输出只和电阻的比例有关，但是电阻比例的弱函数。 也就说，你将电阻的相对精度提高到0.5%，那么你的输出电压精度提高到（1＋0.5%),几乎等于Vbg，你可以查看相关的资料，看其推导过程，其中，Vbg是bandgap的输出。 |
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| 5楼： | >>参与讨论 |
| 作者： chenjia 于 2005/3/30 20:01:00 发布：
电阻的相对精度的大小是fab定的。 其实我做的是一个锂离子电池充电器芯片，因为电池的浮冲电压要达到0.5%的精度，设计的bandgap的值是1.21V,温度系数还是较小的（在仿真时是15ppm），但是其基准电压的绝对值不能有较大的偏差（起码小于0.5%吧）。 电阻的相对精度在0.5%以上，所以要（例如用triming工艺）做精密电阻。 请有经验者指教。 3xs！ |
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| 6楼： | >>参与讨论 |
| 作者： lylnk 于 2005/3/31 10:49:00 发布：
你指的是初始精度吧？ 0.5%可能要triming了 |
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| 7楼： | >>参与讨论 |
| 作者： wjlzhx 于 2005/3/31 14:35:00 发布：
电阻的比值是多少? 可不可以问一 下,电阻的比值取多少啊?? 通过计算好想是11.4左右,不知道你去多少?? |
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| 8楼： | >>参与讨论 |
| 作者： hspice2005 于 2005/4/1 11:49:00 发布：
因电路的不同而不同。 与你的pnp面积之比有关。 我取5。 （R2/R1)*ln*（n)=17.2 |
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| 9楼： | >>参与讨论 |
| 作者： chenjia 于 2005/4/2 14:27:00 发布：
问题解决了. |
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| 10楼： | >>参与讨论 |
| 作者： chenjia 于 2005/4/2 14:29:00 发布：
决定用ploy FUSE 工艺。 |
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| 11楼： | >>参与讨论 |
| 作者： segabird 于 2005/4/5 23:29:00 发布：
楼主有FUSE的资料可以共享否？ 一直对这个比较感兴趣， 可惜没搞过， 可以的话就给我mail一份吧，segabird@.eyou.com |
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| 12楼： | >>参与讨论 |
| 作者： lwmjl 于 2006/10/16 15:08:00 发布：
我也很想了解FUSE的设计细节 能否也给我一份啊？lwmjl@china.com.cn |
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