|
|||||||||||
| 技术交流 | 电路欣赏 | 工控天地 | 数字广电 | 通信技术 | 电源技术 | 测控之家 | EMC技术 | ARM技术 | EDA技术 | PCB技术 | 嵌入式系统 驱动编程 | 集成电路 | 器件替换 | 模拟技术 | 新手园地 | 单 片 机 | DSP技术 | MCU技术 | IC 设计 | IC 产业 | CAN-bus/DeviceNe |
求工艺公关 |
| 作者：赵渊 栏目：IC产业 |
寻求能解决功率MOS从划片到封装中出现的击穿难点。有偿服务！能解决的高手请留下联系方式或者zhaoyuan860@163.com 0755-83223160 13689541146联系。 * - 本贴最后修改时间：2007-1-1 11:36:54 修改者：赵渊 |
| 2楼： | >>参与讨论 |
| 作者： liu1875 于 2007/1/17 22:44:00 发布：
具体一点 划片到封装中的击穿难点 击穿的电压是多高，封装是什么类型封装，芯片原始设计的功率是多大？ 划片槽的设计宽度多少？ |
|
| 3楼： | >>参与讨论 |
| 作者： 赵渊 于 2007/1/22 12:06:00 发布：
回楼上 静电击穿啊，封装是TO-220，是VDMOS型，设计功率是5.6KW，即75V*75A，楼上可有解决办法？ |
|
|
|
| 免费注册为维库电子开发网会员，参与电子工程师社区讨论，点此进入 |
Copyright © 1998-2006 www.dzsc.com 浙ICP证030469号 |