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HY27UG082G2M

更新时间:2024-03-29 14:14:08
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HY27UG082G2M 相关资料
  • 其它信息:

    高密度NAND Flash存储器:符合大容量存储应用; NAND接口:×8总线宽度,多路复用地址/数据总线引脚兼容; 电源电压:3.3V设各VCC=2.7~3.6V; 存储器单元阵列:(2K+64)字节×64页×2048块,(1K+32)字×64页×2048块;页面大小:(2K+64备用的)字节; 时钟大小:(128K+4K备用的)字节; 页面读/编程:随机存取:27μs(最大值),顺序存取:60ns(最小值),页编程时间:300μs(典型值);复制回编程模式:不受外界缓冲的快速页面复制; 高速缓存编程模式:改善编程吞吐量的内部高速缓存;快速块擦除:块擦除时间:2ms(典型值);硬件数据保护:在电源转换过程中编程/擦除被锁定; 数据的完整性:100000次编程/擦除周期,10年的数据保留;封装:48引脚的TSOP和USOP封装

  • 引脚图:

    HY27UG082G2M引脚图

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