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IRF6641TRPBF

更新时间:2024-04-12 17:44:48
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  • 厂家:IRF [International Rectifier]
  • 描述:DirectFET TM Power MOSFET
  • 标准包装:4,800
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:HEXFET®
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:4.6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:59.9 毫欧 @ 5.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):4.9V @ 150µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:48nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:2290pF @ 25V
  • 功率 - 最大:2.8W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:DirectFET? 等容 MZ
  • 供应商设备封装:DIRECTFET? MZ
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:IRF6641TRPBF-NDIRF6641TRPBFTR
IRF6641TRPBF 相关信息
  • IR的DirectFET MOSFET器件IRF6641TRPbF效率高达95%
    ...器公司(International Rectifier,IR)新推出的200V DirectFET器件应用于专为36V至75V通用输入范围内操作的隔离式设计DC-DC转换器。其超低的51 mΩ典型10V导通电阻RDS(on)及减低了的栅极电荷,使IRF6641TRPBF特别适合应用于高效同步整流MOSFET、推动大电流负载的高频及高效的DC-DC转换器、新一代中间总线转换器、DC马达驱动器,以及为风力涡轮转换功率的48V变频器的同步整流。在48V通用输...
  • IR最新200V DirectFET MOSFET效率高达95% 并大幅节省占位空间
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