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K9K1G08U0M-YIB0

更新时间:2024-04-10 18:40:46
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  • 其它信息：

      电源电压：Vcc＝2.7—3.6V；  结构：存储器单元阵列：,(128M+4096K)X8位，数据存储器：(512+16)X8位；  自动编程和擦除：页编程：(512+16)字节，块擦除：(16K+512)字节； 528字节页读操作：随机存取：12μs(最大值)，串行访问：50ns (最小值)；  快速写周期时间：编程时间：200μs(典型值),块擦除时间：2ms(典型值)；  指令/地址/数据复用I/O端口； 硬件数据保护：在电源转换过程中编程/擦除锁定；  可靠的 CMOS准浮栅技术，100k次编程/擦除周期，10年的数据保留
     时间；  指令存储器操作；  封装：48引脚的TSOP封装；  同时4页/块编程/擦除；工作温度：-40～+125℃

  • 引脚图：

    K9K1G08U0M-YIB0引脚图

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