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其它信息:
电源电压:Vcc=2.7~3.6V; 结构:存储器单元阵列:(1G+32M)×8位,数据存储器:(2K+m)×8位; 自动编程和擦除:页编程:(2K+64)字节,块擦除:(128K+4K)字节; 页读操作:页大小:(2K+64)字节,随机存取:20μS(最大值),串行访问:25ns(最小值); 快速写周期时间:编程时间:200μs(典型值),块擦除时间:1.5ms(典型值); 指令/地址/数据复用I/O端口; 硬件数据保护:在电源转换过程中编程/擦除锁定; 可靠的CMOS准浮棚技术,100k次编程/擦除周期,10年的数据保留时间; 指令存储器操作; 封装:48引脚的TSOP封装
引脚图: