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MMBT3906WT1G

更新时间:2024-07-16 12:45:09
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  • 大小:109.3KB
  • 厂家:ON Semiconductor
  • 描述: TRANSISTOR, PNP, SOT-323; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Power Dissipation Pd:150mW; DC Collector Current:200mA; DC Current Gain hFE:250; Transistor Case Style:SOT-323; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Collector Emitter Voltage Vces:250mV; Current Ic Continuous a Max:50mA; Current Ic hFE:300mA; Gain Bandwidth ft Typ:250MHz; Hfe Min:100; Package / Case:SOT-323; Power Dissipation Pd:150mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:-
  • 晶体管类型:PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):40V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):400mV @ 5mA,50mA
  • 电流 - 集电极截止(最大):-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):100 @ 10mA,1V
  • 功率 - 最大:150mW
  • 频率 - 转换:250MHz
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:SC-70,SOT-323
  • 供应商设备封装:SC-70-3(SOT323)
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:MMBT3906WT1GOSMMBT3906WT1GOS-NDMMBT3906WT1GOSTR
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