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MRF7S21170H

更新时间:2024-04-23 23:02:50
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  • 厂家：Freescale Semiconductor
  • 描述：MRF7S21170HR3 MRF7S21170HSR3 2110-2170 MHz, 50 W Avg., 28 V Single W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFEETs
MRF7S21170H 相关信息
  • RF功率器件的设计及应用
    ...发了独具价值的数据输入和后处理工具，使用户能够快速分析二维或三维平面下被测试器件(DUT)的行为(图4)。 脉冲VNA负载拉移技术被用来测量飞思卡尔公司广泛的功率晶体管产品，包括170W WCDMA器件MRF7S21170H。该器件的负载拉移功率等高线显示，1dB压缩点的脉冲输出功率高于+53dBm(200W)，2.14GHz频率下的增益为19.94dB(图5)。由于具有这些技术，MRF7S21170H的最终匹配网络设计变成非常简单...
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