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SI1972DH-T1-E3

更新时间:2023-09-20 13:41:26
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SI1972DH-T1-E3的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

SI1972DH-T1-E3外观图

  • 数据列表：SI1972DH
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 阵列
  • 系列：TrenchFET®
  • FET 型：2 个 N 沟道（双）
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：1.3A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：225 毫欧 @ 1.3A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.8V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：2.8nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：75pF @ 15V
  • 功率 - 最大：740mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • 供应商设备封装：SC-70-6
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：SI1972DH-T1-E3TR
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