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SI2323CDS-T1-GE3

更新时间:2023-03-25 22:43:50
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  • 日新电子国际有限公司

  • SI2323CDS-T1-GE3

  • 优势

  • 98760

  • VISHAY

  • SOT23/20+

  • 原装参数与丝印，完美替代，免费送样测试，品质保证

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SI2323CDS-T1-GE3外观图

  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：TrenchFET®
  • FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：6A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：39 毫欧 @ 4.6A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：25nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：1090pF @ 10V
  • 功率 - 最大：2.5W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：SI2323CDS-T1-GE3TR
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