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SI3459BDV-T1-GE3

更新时间:2025-07-03 09:37:01
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SI3459BDV-T1-GE3 规格参数
  • 制造商
    Vishay
  • 产品种类
    MOSFET
  • 晶体管极性
    P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
    60 V
  • 闸/源击穿电压
    +/- 20 V
  • 漏极连续电流
    2.2 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）
    216 mOhms
  • 配置
    Single Quad Drain
  • 最大工作温度
    + 150 C
  • 安装风格
    SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
    TSOP
  • 封装
    Reel
  • 正向跨导 gFS（最大值/最小值）
    4 S
  • 栅极电荷 Qg
    4.4 nC
  • 最小工作温度
    - 55 C
  • 功率耗散
    2000 mW
  • 工厂包装数量
    3000
  • 典型关闭延迟时间
    16 ns, 18 ns
  • 零件号别名
    SI3459BDV-GE3
芯知识
1.7万
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广东微尔科技有限公司
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