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              SI6562CDQ-T1-GE3
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SI6562CDQ-T1-GE3

更新时间:2025-03-05 15:24:53
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SI6562CDQ-T1-GE3的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

SI6562CDQ-T1-GE3外观图

  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 阵列
  • 系列：TrenchFET®
  • FET 型：N 和 P 沟道
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：6.7A，6.1A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：22 毫欧 @ 5.7A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：23nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：850pF @ 10V
  • 功率 - 最大：1.6W，1.7W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
  • 供应商设备封装：8-TSSOP
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：SI6562CDQ-T1-GE3TR
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