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              STD10N60DM2
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更新时间:2024-12-03 14:07:17
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STD10N60DM2的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

STD10N60DM2外观图

  • 现有数量：0现货查看交期
  • 价格：1 : ￥12.56000剪切带（CT）2,500 : ￥5.75506卷带（TR）
  • 系列：MDmesh? DM2
  • 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态：在售
  • FET 类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：530 毫欧 @ 4A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：15 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）：±25V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：529 pF @ 100 V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：109W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 供应商器件封装：DPAK
  • 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
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