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STH240N10F7-2

更新时间:2025-05-24 06:53:14

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STH240N10F7-2 概述

STH240N10F7-2是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻和高效率的特点。它主要用于高效能的电源管理应用中，如DC-DC转换器、不间断电源系统（UPS）、电机驱动以及太阳能逆变器等。在这些应用中，其低功耗和快速开关速度能够显著提升系统整体性能。使用时应注意确保栅极电压不超过最大额定值，并且在设计电路时考虑足够的散热措施以维持稳定工作温度。对于需要高电流处理能力的应用场景，这款MOSFET是一个理想的选择。此外，在实际电路设计中，推荐结合具体需求调整栅极电阻值以优化开关特性。

STH240N10F7-2 规格参数

现有数量
0现货查看交期
系列
STripFET?
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.5 毫欧 @ 60A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
160 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
11550 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
300W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
H2Pak-2
封装/外壳
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

芯知识

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