标准包装:1
类别:分离式半导体产品
家庭:FET - 阵列
系列:-
FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:7.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:22 毫欧 @ 7.5A,10V
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