SSM3J112TU(TE85L)

标准包装：3,000

类别：分离式半导体产品

家庭：FET - 单

系列：-

FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 特点：逻辑电平门

漏极至源极电压(Vdss)：30V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：1.1A

开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：390 毫欧 @ 500mA，10V

Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.8V @ 100µA

闸电荷(Qg) @ Vgs：-

输入电容 (Ciss) @ Vds：86pF @ 15V

功率 - 最大：500mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：3-SMD，扁平引线

供应商设备封装：UFM（2.0x2.1）

包装：带卷 (TR)

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