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SSP4N60B

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SSP4N60B
参数信息:

制造商:Fairchild Semiconductor

产品种类:MOSFET

晶体管极性:N-Channel

汲极/源极击穿电压:600 V

闸/源击穿电压:+/- 30 V

漏极连续电流:4 A

电阻汲极/源极 RDS(导通):2.5 Ohms

配置:Single

最大工作温度:+ 150 C

 更多参数信息

SSP4N60B历史价格

(最低报价:¥00.57最高报价:¥16.50平均报价:¥2.76)

更多报价信息>>SSP4N60B PDF下载LM358技术应用SSP4N60B引脚图
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其它信息:

电流参数:ID=4A/IDM=16A
电压参数:UDSS=600V/UGSS=±30V
功   率:PD=100W
其他参数:10V/2Ω,trr=330ns
极  性:N

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