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SSR1N60BTM

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SSR1N60BTM外观图
图像仅供参考,请参阅产品规格书

标准包装:2,500

类别:分离式半导体产品

家庭:FET - 单

系列:-

FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 特点:标准型

漏极至源极电压(Vdss):600V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:900mA

开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:12 欧姆 @ 450mA,10V

 更多参数信息

SSR1N60BTM历史价格

(最低报价:¥1.50最高报价:¥1.80平均报价:¥1.65)

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