SST25LF040A-33-4C-QA SST25LF040A-33-4C-52AE SST25LF040A-33-4C SST25LF040A SST25LF040-33-4C-S2AE SST25LF040-33 SST25LF040 SST25LF020A-33-4I-SAE SST25LF020A-33-4I-SA. SST25LF020A-33-4I-SA SST25LF040A33-4C-QAET
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制造商:Microchip
产品种类:闪存
存储类型:Flash Drive
存储容量:4 Mbit
接口类型:4-Wire
工作温度:+ 70 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:WSON
封装:Tube
SST25LF040A-33-4C-QAE历史价格
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SST25LF040A-33-4C-QAE相关技术应用
读、写操作电压2.7~3.6V;串行接口结构:SPI兼容模式0和模式3;最大时钟频率:33MHz;高可靠性,保证100000次读/写(典型值),数据保持超过100年;超低功耗,动态读出电流:7mA(典型频率为20MHz时),待机电流:8μA(典型值);灵活的擦除功能,均匀的4KB扇区,均匀的32KB叠加块;快速擦除操作和字节编程时间,芯片擦除时间:35ms(典型值),扇区/块擦除时间:18ms(典型值),字节编程时间:14μs(典型值);自动地址增加(AAI)程序:字节编程操作减少整个芯片的编程时间;写操作完成监测:软件方法在状态寄存器中查询BUSY位,在SO引脚读出忙碌状态;保持引脚(HOLD#):在没有取消选择1个装置时挂起一个串行的序列;写保护(WP#):在状态寄存器中允许/失效锁操作方法;软件写保护:在状态寄存器中通过块保护位写保护;温度范围:0~+70℃(商用级C),-40~+85℃(工业级I),-20~+85℃(扩展级E);所有无铅装置遵从RoHS标准;温度范围:0~+70℃(商用级C)
引脚图:-

SST25LF040A-33-4C-QAE引脚图
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