SST25LF040A-33-4C-SAE SST25LF040A33-4C-S2AT SST25LF040A-33-4C-S2AF SST25LF040A-33-4C-S2AE-T. SST25LF040A-33-4C-S2AE-T- SST25LF040A-33-4C-S2AE-T SST25LF040A-33-4C-S2AE/ SST25LF040A-33-4C-S2AE. SST25LF040A33-4C-S2AE SST25LF040A-33-4C-S2AE- SST25LF040A-33-4E-S2A
您是否在找:SST25LF040A-33-4E-QAE历史价格
SST25LF040A-33-4E-QAE相关技术应用
读、写操作电压2.7~3.6V;串行接口结构:SPI兼容模式0和模式3;最大时钟频率:33MHz;高可靠性,保证100000次读/写(典型值),数据保持超过100年;超低功耗,动态读出电流:7mA(典型频率为20MHz时),待机电流:8μA(典型值);灵活的擦除功能,均匀的4KB扇区,均匀的32KB叠加块;快速擦除操作和字节编程时间,芯片擦除时间:35ms(典型值),扇区/块擦除时间:18ms(典型值),字节编程时间:14μs(典型值);自动地址增加(AAI)程序:字节编程操作减少整个芯片的编程时间;写操作完成监测:软件方法在状态寄存器中查询BUSY位,在SO引脚读出忙碌状态;保持引脚(HOLD#):在没有取消选择1个装置时挂起一个串行的序列;写保护(WP#):在状态寄存器中允许/失效锁操作方法;软件写保护:在状态寄存器中通过块保护位写保护;温度范围:0~+70℃(商用级C),-40~+85℃(工业级I),-20~+85℃(扩展级E);所有无铅装置遵从RoHS标准;温度范围:-20~+85℃(扩展级E)
引脚图:-

SST25LF040A-33-4E-QAE引脚图
相关搜索
SST25LF040A-33-4E-S2AESST25LF040A-33-4E-SAESST25LF040A-33-4I-QASST25LF040A-33-4I-QA.SST25LF040A-33-4I-QAESST25LF040A-33-4I-QAE.SST25LF040A-33-4I-S2ASST25LF040A-33-4I-S2AESST25LF040A-33-4I-S2AE-SST25LF040A-33-4I-S2AE.SST25LF040A-33-4I-S2AE/SST25LF040A-33-4I-SAESST25LF080ASST25LF080A-33SST25LF080A-33-4C-MAFSST25LF080A33-4C-MAFT
