SST25VF020-20-4C-SA. SST25VF020-20-4C-SA SST25VF020-20-4C-QAE. SST25VF020-20-4C-QAE SST25VF020-20-4C-QA. SST25VF020-20-4C-QA SST25VF020 SST25VF016B-75-4I-S2AF SST25VF016B5Q-4C-S2AF SST25VF016B-50-4I-S2AF-T SST25VF020-20-4C-SAE-
您是否在找：
图像仅供参考,请参阅产品规格书
特色产品：SST Serial and Parallel Flash Memory
标准包装：100
类别：集成电路 (IC)
家庭：存储器
系列：SST25
格式 - 存储器：闪存
存储器类型：FLASH
存储容量：2M (256K x 8)
速度：20MHz
SST25VF020-20-4C-SAE历史价格
(最低报价：￥2.50最高报价：￥5.00平均报价：￥3.49)
更多报价信息>>SST25VF020-20-4C-SAE PDF下载LM358技术应用SST25VF020-20-4C-SAE引脚图热门推荐
SST25VF020-20-4C-SAE相关技术应用
读、写操作电压2.7～3.6V； 串行接口结构：SPI兼容模式0和模式3； 最大时钟频率：20MHz； 高可靠性，保证100000次读/写(典型值)，数据保持超过100年； 超低功耗，动态读出电流：7mA(典型值)，待机电流：8μA(典型值)； 灵活的擦除功能，均匀的4KB扇区，均匀的32KB叠加块； 快速擦除操作和字节编程时间，芯片擦除时间：70ms(典型值)，扇区/块擦除时间：18ms(典型值)，字节编程时间：14μs(典型值)； 自动地址增加(AAI)程序：字节编程操作减少整个芯片的编程时间； 写操作完成监测：软件状态； 保持引脚(HOLD ＃)：在没有取消选择1个装置时挂起一个串行的序列； 写保护(WP＃)：在状态寄存器中允许/失效锁操作方法； 软件写保护：在状态寄存器中通过块保护位写保护； 所有无铅装置遵从RoHS标准； 温度范围：0～＋70℃(商用级C)，- 40～＋85℃(工业级I)，- 20～＋85℃(扩展级E)； 温度范围：0～＋70℃(商用级C)
引脚图：-
SST25VF020-20-4C-SAE引脚图
相关搜索
SST25VF020-20-4C-SAE.SST25VF020-20-4C-SAE/SST25VF020-20-4E-QASST25VF020-20-4E-QA.SST25VF020-20-4E-QAESST25VF020-20-4E-SASST25VF020-20-4E-SAESST25VF020-20-4I-QASST25VF020-20-4I-QA.SST25VF020-20-4I-QAESST25VF020-20-4I-SASST25VF020-20-4I-SAESST25VF032BSST25VF032B-50-4C-S2AFSST25VF032B-66-4I-SSST25VF032B-66-4I-S2AF