SST25VF512-20-4C-QAE.. SST25VF512-20-4C-QAE. SST25VF512-20-4C-QAE SST25VF512-20-4C-QA SST25VF512-20-4CQA SST25VF512-20-4C-5A SST25VF512 SOP-8ROHS SST25VF512 SST25VF080B-50-4I-ZCE SST25VF080B-50-4I-S2AF. SST25VF512-20-4C-SAE
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制造商:Microchip
产品种类:闪存
存储类型:NAND
存储容量:512 Kbit
结构:Sectored
接口类型:SPI
访问时间:20 ns
Supply Voltage - Max:3.6 V
Supply Voltage - Min:2.7 V
SST25VF512-20-4C-SA历史价格
(最低报价:¥1.60最高报价:¥7.00平均报价:¥3.32)
更多报价信息>>SST25VF512-20-4C-SA PDF下载LM358技术应用SST25VF512-20-4C-SA引脚图SST25VF512-20-4C-SA相关技术应用
读、写操作电压2.7~3.6V; 串行接口结构:SPI兼容模式0和模式3; 最大时钟频率:20MHz; 高可靠性,保证100000次读/写(典型值),数据保持超过100年;超低功耗,动态读出电流:7mA(典型值),待机电流:8μA(典型值); 灵活的擦除功能,均匀的4KB扇区,均匀的32KB叠加块; 快速擦除操作和字节编程时间,芯片擦除时间:70ms(典型值),扇区/块擦除时间:18ms(典型值),字节编程时间:14μs(典型值); 自动地址增加(AAl)程序:字节编程操作减少整个芯片的编程时间; 写操作完成监测:软件状态; 保持引脚(HOLD#):在没有取消选择1个装置时挂起一个串行的序列; 写保护(WP#):在状态寄存器中允许/失效锁操作方法; 软件写保护:在状态寄存器中通过块保护位写保护; 所有无铅装置遵从Rolls标准; 温度范围:0~+70℃(商用级C)
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SST25VF512-20-4C-SA引脚图
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