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组织结构为512K×8；读、写操作电压3.0～3.6V； 高可靠性，保证100000次读/写，数据保持100年；低功耗操作，动态电流：5mA(典型值)，待机电流：1μA(典型值)；扇区擦除操作功能：均匀的4KB扇区；快速读取时间：45ns或55ns；锁存地址和数据；快速擦除操作和字节编程时间，扇区擦除操作时间：18ms(典型值)，芯片擦除操作时间：70ms(典型值)；字节编程时间：14μs(典型值)，芯片重写时间：8s；自动调节写操作时间；写操作完成监测：Toggle位，Data ＃轮询；兼容CMOS I/O；符合JEDEC标准；所有无铅装置遵从RoHS标准；温度范围：0～＋70℃(商用级C)；读取时间：55ns
引脚图：-
SST39LF040-55-4C-NH引脚图
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