SST39VF010-70-4I-NHE SST39VF010-70-4I-NH SST39VF010-70-4C-WHE// SST39VF010-70-4C-WHE/ SST39VF010-70-4C-WHE-. SST39VF010-70-4C-WHE. SST39VF010-70-4C-WHE- SST39VF010-70-4C-WH-E SST39VF010-70-4C-WHE SST39VF01070-4C-WH SST39VF010-70-4I-WHE
您是否在找：参数信息：
制造商：Microchip
产品种类：闪存
数据总线宽度：8 bit
存储类型：NAND
存储容量：1 Mbit
结构：Sectored
接口类型：Parallel
Supply Voltage - Max：3.6 V
Supply Voltage - Min：2.7 V
SST39VF010-70-4I-WH相关技术应用
组织结构为128K×8；读、写操作电压2.7～3.6V；高可靠性，保证100000次读/写，数据保持100年；低功耗操作，动态电流：5mA(典型值)，待机电流：1μA(典型值)；扇区擦除操作功能：均匀的4KB扇区；快速读取时间：70ns；锁存地址和数据；快速擦除操作和字节编程时间，扇区擦除操作时间：18ms(典型值)，芯片擦除操作时间：70ms(典型值)；字节编程时间：14μs(典型值)，芯片重写时间：2s；自动调节写操作时间；写操作完成监测：Toggle位，Data＃轮询；兼容CMOS I/O；符合JEDEC标准；所有无铅装置遵从RoHS标准；温度范围：- 40～＋85℃(工业级I)
引脚图：-
SST39VF010-70-4I-WH引脚图
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