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SSW10N60BTM
参数信息：
参数信息：
制造商：Fairchild Semiconductor
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：600 V
闸/源击穿电压：+/- 30 V
漏极连续电流：9 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.8 Ohms
配置：Single
最大工作温度：+ 150 C
SSW10N60BTM历史价格
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