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就是能满足这种要求的设有旁通电路低噪声放大器。用于900mhz频段w-cdma模式手机终端。 njg1138ha8是由低噪声放大电路、旁通电路、控制用逻辑电路构成的低噪声放大器。具有内置高线形性、低消耗电流、esd保护电路等特征,并且为防止离基地局较近地区发生的强磁场输入时所造成的放大器视失真,设置了不经过放大电路的旁通模式(low gain模式)。 通过使用高性能hj fet工艺,njg1138ha8即实现了高线形性 (iip3 0dbm typ.@vctl=1.8v, frf =942.5mhz)和低消耗电流(2.3ma ty p.@vctl=1.8v)。 内置保护元件,用hbm(human body model)方法,njg1138ha8实现了2000v以上的高esd(electrostatic discharge)静电耐压 产品性能及特点概要 ●低工作电压:+2.8v typ. ●低控制电压:+1.8v typ. [high gain 模式] ●低消耗电流:2.3ma typ.@vctl=1.8v ●高增益:16.0db typ.@vctl=1.8v,
n dempa kogyo(ndk)公司近日推出系列微型saw滤波器。该产品具有非平衡至平衡转换功能,尺寸为2×1.6×0.6mm,并符合pcs、gsm、egsm及dcs等国际移动电话标准。wf752c1960pd saw滤波器为pcs 1900应用而设计,标称频率为1,960mhz,插入损耗2.3db,带内纹波0.7db;wf753c0881pd主要面向gsm 850应用,标称频率881.5mhz,插入损耗1.9db,带内纹波0.7db;wf755c0942pd适用于egsm 900,标称频率942.5mhz,插入损耗2.3db,带内纹波0.9db。
被丢弃的高频成分就可能在接地层产生电势差,进而形成新的噪声辐射源。从这个意义上说,这些滤波器只能用于接地层阻抗非常低的情况。问题正如murata manufacturing公司所指出的:“许多情况下,在手机等小型设备中不太可能有足够大面积的接地层。事实上,人们在开发这些设备的过程中发现,确实存在尽管插入了emi滤波器但电磁噪声辐射却没有降低的情况。” 图1: 插入损失的频率特性 两款器件对应不同谐振频率的插入损失特性。例如,nfa2asn907aa4l的插入损失在942.5mhz达到最小值22db,在1.8425ghz达到最小值18db。 利用lc谐振电路捕获噪声 为了攻克这个难题,murata manufacturing有限公司开发了不需要连接到接地层的nfa2asn系列emi滤波器。这种滤波器由电感(l)和电容(c)并联组成,通过“诱捕”来消除不需要的频率成分(图1)。每一组由两个谐振电路串连而成,每个电路的lc特征值不同,换句话说,就是有两个不同的“陷阱”(图2)。 这些滤波器的目标应用是降低手机翻盖连接处柔性印制电路板(fpc)发出的emi。murat
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