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HY27UG084G2M中文资料

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    HY27UG084G2M引脚图高密度NAND Flash存储器：符合大容量存储应用； NAND接口：×8总线宽度,多路复用地址/数据总线引脚兼容； 电源电压：3.3V设备VCC＝2.7～3.6V； 存储器单元阵列：（2K＋64）字节×64页×4096块,（1K＋32）字×64页×4096块；页面大小：（2K＋64各用的）字节； 时钟大小：（128K＋4K备用的）字节； 页面读/编程：随机存取：30μs（最大值）,顺序存取：50ns（最小值）,页编程时间：200μs（典型值） 复制回编程模式：不受外界缓冲的快速页面复制； 高速缓存编程模式：改善编程吞吐量的内部高速缓存； 快速块擦除：块擦除时间：2ms（典型值）；硬件数据保护：在电源转换过程中编程/擦除被锁定； 数据的完整性：100000次编程/擦除周期,10年的数据保留； 封装：48引脚的TSOP封装和52引脚的ULGA封装

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