组织结构为128K×8;读、写操作电压2.7~3.6V;高可靠性,保证100000次读/写,数据保持100年;低功耗操作,动态电流:5mA(典型值),待机电流:1μA(典型值);扇区擦除操作功能:均匀的4KB扇区;快速读取时间:70ns;锁存地址和数据;快速擦除操作和字节编程时间,扇区擦除操作时间:18ms(典型值),芯片擦除操作时间:70ms(典型值);字节编程时间:14μs(典型值),芯片重写时间:2s;自动调节写操作时间;写操作完成监测:Toggle位,Data#轮询;兼容CMOS I/O;符合JEDEC标准;所有无铅装置遵从RoHS标准;温度范围:- 40~+85℃(工业级I)