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SST39VF200A中文资料

  • SST39VF200A

    SST39VF200A引脚图组织结构为128K×16;读、写操作电压2.7~3.6V;高可靠性,保证100000次读/写,数据保持100年;低功耗操作,动态电流:9mA(典型值),待机电流:3μA(典型值); 扇区擦除操作功能:均匀的2K字扇区; 块擦除操作功能:均匀的32K字块; 快速读取时间:70ns; 快速擦除操作时间,扇区擦除操作时间:18ms(典型值),块擦除操作时间:18ms(典型值),芯片擦除操作时间:40ms(典型值); 字编程时间:14μs(典型值),芯片重写时间:2S; 自动调节写操作时间; 写操作完成监测:Toggle位,Data#轮询; 兼容CMOS I/O; 符合JEDEC标准; 所有无铅装置遵从RoHS标准

SST39VF200A替代型号

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