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当前位置：维库电子市场网>IC>arf448b 更新时间:2024-04-12 05:58:47

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  • 采用射频功率MOSFET设计功率放大器

    48a/b进行设计。apt公司在其生产的射频功率mosfet的内部结构和封装形式上都进行了优化设计，使之更适用于射频功率放大器。下面介绍该型号功率放大器的电路结构和设计步骤。 2．50mhz/250w射频功率放大器的设计 高压射频功率放大器的设计与传统低压固态射频功率放大器的设计过程有着显著的不同，以下50mhz/250w功率放大器的设计过程将有助于工程技术人员更好的掌握高压射频功率放大器的设计方法。 2.1射频功率mosfet管arf448a/b的特点 arf448a和arf448b是配对使用的射频功率mosfet，反向耐压450v，采用to-247封装，适用于输入电压范围为75v－150v的单频c类功率放大器，其工作频率可设置为13.56mhz、27.12mhz和40.68 mhz。arf448a/b的高频增益特性如图1所示。从图中可以看出，当频率达到50mhz时，arf448的增益约为17db。 2.2 设计指标 50mhz/250w功率放大器的设计指标如下： （1）工作电压：>100v；（2）工作频率：50mhz； （3）增 益：>

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