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r技术flash memory的综合优势,主要表现为:(1)读写灵活性比eeprom差,不能直接改写数据。在编程之前需先进行页擦除,与nor技术flash memory的块结构相比,其页尺寸小,因而具有快速随机读取和快编程、快擦除的特点:(2)与eeprom相比,这种存储器具有明显的成本优势;(3)存储密度比eeprom大,但比nor技术flash memory小[2]。因此,该dataflash存储容量大,读写速度快,抗干扰能力强,在行驶记录仪中作存储器是较好的选择。本文给出了采用atmel的at45db161b来存储数据的记录仪设计方案。 2 at45db161b串行存储器atmel公司的data-flash产品的代表型号为at45dbxxxx。此系列存储器容量较大(从1~256mb);封装尺寸小,最小封装型式(cbga)的尺寸为6 mm×8 mm:可采用spi接口进行读写;硬件连线少;内部页面尺寸较小,8 mb容量的页面尺寸为264字节,16 mb和32 mb容量的页面尺寸为512字节,64 mb容量的页面尺寸为1056字节,128 mb容量和256 mb容量的页面尺寸为2112字节。另外,at4
摘要:dataflash是atmel公司新推出的大容量串行flash存储器产品,具有体积小、容量大、功耗低和硬件接口简单的特点,非常易于构成微型测量系统。本文重点介绍此类存储器与单片机的接口,并给出实际的电路设计和软件代码示例。 关键词:串行flash存储器 接口 at45db161b 1 概述 flash存储器按其接口可分为串行和并行两大类。串行flash存储器大多采用i2c接口或spi接口进行读写;与并行flash存储器相比,所需引脚少、体积小、易于扩展、与单片机或控制器连接简单、工作可靠,所以串行flash存储器越来越多地用在各类电子产品和工业测控系统中。 dataflash是美国atmel公司新推出的大容量串行flash存储器产品,采用nor技术制造,可用于存储数据或程序代码,其产品型号为at45dbxxxx。此系列存储器容量较大,从1mb~256mb;封装尺寸小,最小封装型式(cbga)尺寸为6mm×8mm;采用spi接口进行读写,硬件连线少;内部页面尺寸较小,8mb容量的页面尺寸为264字节,16mb和32mb容量的页面尺寸为512字节,64mb容量的页面尺寸为10
设计中使用低频率的时钟。 为了尽量减少系统的功耗,在手持式rfid 读写器的硬件设计中尽量采用低功耗器件,并根据不同工作状态对系统的工作时钟频率进行调节。其中主控制器选用了高性能、超低功耗的msp430f149 单片机,工作电压为1.8~3.6v,可提供了6 种工作模式,即活动模式(am)和低功耗模式0-4(lpm0-4),能不同程度的减少芯片内部以及外部模块的功耗。相应接口模块也分别选用电压工作为3.3v 以下的器件,如rf 收发模块选用fm1702sl 射频卡读写芯片,扩展存储模块选用at45db161b 串行flash 存储器,显示模块及驱动芯片选用p13501 显示模块(含内置驱动芯片ssd1303), usb 接口选用ips1582,串行通信接口选用max3232、网络接口模块选用enc28j60 等。 msp430f149 单片机的基础时钟模块主要由低频晶体振荡器(lfxt1)、高频晶体振荡器(xt2)、数字控制振荡器(dco)等模块组成,可以提供主系统时钟(mclk)、子系统时钟(smclk)及辅助时钟(aclk)3 种时钟信号。为优化低功耗特性,在手持式rfid 读写器设计中m
1 概述
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