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bt139-600e中文资料

  • 制造商:

    NXP

  • 产品种类:

    双向可控硅

  • 额定重复关闭状态电压 VDRM:

    600 V

  • 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:

    0.1 mA

  • 栅触发电压 (Vgt):

    1.5 V

  • 栅触发电流 (Igt):

    25 mA

  • 保持电流（Ih 最大值）:

    45 mA

  • 正向电压下降:

    1.6 V

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装 / 箱体:

    TO-220AB

  • 封装:

    Rail

  • 最大工作温度:

    + 125 C

  • 最小工作温度:

    - 40 C

  • 重复峰值正向闭塞电压:

    600 V

  • 工厂包装数量:

    50

  • 零件号别名:

    BT139-600E,127

  • BT139-600E

    电流参数：IT(RMS)=16A/ITSM=140A/IGM=2A/IGT I=2.5mA/IGT II=4mA/IGT III=5mA/IGT IV=11mA/IH=4mA电压参数：UDRM=600V/UGM=5V/UGT=0.7V功 率：PGM=5W/PG(AV)=0.5W备 注：IGT I~IGT IV为第一象限~第四象限控制极触发电流、双向

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