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dtc114esa中文资料

  • 数字晶体管的测试原理与精确测试方法

    数字晶体管的测试与一般小信号晶体管相比，有较大的区别，主要测输入截止电压vi（off）（7bton），输入开启电压vi（on）（8bton），输出电压vo（on）（9vcesat），输入截止电流ii（10ieb），输出截止电流io（off）（11ices），直流电流增益gi（12hfe），电阻r1（22r1），电阻r2（23r2）括号内对应附表中计算机测试程序中的相应项，其中电阻r1与r2因不能直接测试，要测试正确比较困难。下面以dtc114esa举例说明测试原理。如图2所示，由于基极与发射极上并联了一只10k电阻，基极上又串联一只10k的电阻，测试时晶体管eb结构的特性就与小信号晶体管eb结的正反向特征有很大区别，一般晶体管的正向特性曲线如图3所示，从0.7v左右正向电流随正向电压徒直上升，方向特性在6～10v左右开始雪崩击穿，像一只6～10v的稳压二极管如图4所示，而数字晶体管串联r1及并联r1电阻后，输入特性曲线如图5所示，所加正向电压小于0.7v时，晶体管可当作截止状态，eb两端的电压除以电流，所得的电阻r为r1与r2之和。当所加正向电压大于0.7v时，晶体管可作为导通，导通

  • DTC114ESA

    电流参数：IO=50mA/IC=100mA电压参数：UCC=50V功 率：PD=300mW其他参数：fT=250MHZ极 性：NPN

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DTC114EM3T5G DTC114EKA DTC114EK DTC114EET1G DTC114EET1 DTC114 DTA144E DTA143EKAROHM DTA143 DTA124EET1G

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