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安森美微型封装电压抑制器件
安森美半导体（on semiconductor）推出全新高性能、微型封装的静电放电（esd）保护二极管系列，专为便携式产品和电池供电应用中电压敏感元件提供单线保护而设计。新系列中的五个esd5z器件包括esd5z2.5t1（2.5 v）, esd5z3.3t1（3.3 v）, esd5z5.0t1 （5.0 v）, esd5z6.0t1（6.0 v）和esd5z7.0t1（7.0 v）。这些器件为钳制快速上升的esd脉冲而设计，防止对板上的电压敏感元件造成损坏。30 kv的输入波形（符合 iec61000-4-2 标准）将在几纳秒钟内被esd5z 系列器件钳制到7v以下。这些器件尺寸小，便于放置在esd 可进入系统的输入/输出端口附近，因此可在瞬态电压耦合到板上其它部分之前将其抑制。在关闭状态下，这些esd5z器件的泄漏电流仅为5 纳安（na）之低，因此是极重要的节电应用的理想选择。这些器件也适用于保护电压敏感元件，防止电源线上的负载开关产生瞬流，并且可以在8 x 20 微秒（μsec）的脉冲波形内耗散200 w。 esd5z 器件采用超小的sod-523

ESD5Z3.3T1G的技术参数
产品型号:ESD5Z3.3T1G
雪崩电压VBR Min.(V):5
雪崩电压VBR Nom.(V):－
雪崩电压VBR Max.(V):－
IT(mA):1
峰值反向工作电压VRWM(V):3.300
最大反向漏电流IR(uA):0.050
最大反向电压(钳位电压)VC(V):14.100
最大反向浪涌电...

安森美微型ESD保护二极管针对便携式应用（图）
安森美半导体公司(on semiconductor)日前推出一款高性能、微型封装的静电放电(esd)保护二极管系列产品，专为手机、pda和mp3播放器等便携式产品和电池供电应用中电压敏感元件提供单线保护而设计。新系列中的五个esd5z器件包括esd5z2.5t1 (2.5v)、esd5z3.3t1 (3.3v)、esd5z5.0t1 (5.0v)、esd5z6.0t1(6.0v)和esd5z7.0t1 (7.0v)。这些器件为钳制快速上升的esd脉冲而设计，防止对板上的电压敏感元件造成损坏。30kv的输入波形(符合iec61000-4-2标准)将在几纳秒钟内被esd5z系列器件钳制到7v以下。这些器件尺寸小，便于放置在esd可进入系统的输入/输出端口附近，因此可在瞬态电压耦合到板上其它部分之前将其抑制。在关闭状态下，这些esd5z器件的泄漏电流仅为5纳安(na)，因此非常适合于节电应用。这些器件也适用于保护电压敏感元件，防止电源线上的负载开关产生瞬流，并且可以在8×20微秒(μsec)的脉冲波形内耗散200w。 esd5z系列的性能优于常用的多层变阻器(mlv)，同时还保持
安森美半导体推出微型封装电压抑制器件
近日，安森美半导体（on semiconductor，美国纳斯达克上市代号：onnn）推出全新高性能、微型封装的静电放电（esd）保护二极管系列，专为便携式产品和电池供电应用中电压敏感元件提供单线保护而设计。新系列中的五个esd5z器件包括esd5z2.5t1（2.5 v）, esd5z3.3t1（3.3 v）, esd5z5.0t1 （5.0 v）, esd5z6.0t1（6.0 v）和esd5z7.0t1（7.0 v）。这些器件为钳制快速上升的esd脉冲而设计，防止对板上的电压敏感元件造成损坏。30 kv的输入波形（符合 iec61000-4-2 标准）将在几纳秒钟内被esd5z 系列器件钳制到7v以下。这些器件尺寸小，便于放置在esd 可进入系统的输入/输出端口附近，因此可在瞬态电压耦合到板上其它部分之前将其抑制。在关闭状态下，这些esd5z器件的泄漏电流仅为5 纳安（na）之低，因此是极重要的节电应用的理想选择。这些器件也适用于保护电压敏感元件，防止电源线上的负载开关产生瞬流，并且可以在8 x 20 微秒（μsec）的脉冲波形内耗散200 w。 esd

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安森美微型ESD保护二极管针对便携式应用（图）

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